近日閃存領(lǐng)域的最大新聞，應(yīng)該是戴爾在其SC(Compellent)系列存儲陣列中率先增加TLC 3D NAND SSD的支持，現(xiàn)在開始提供業(yè)界單位容量成本($/GB)最低的全閃存陣列。戴爾也正式對外宣布，這將是：

①行業(yè)最低的$/GB，包括閃存裸容量和可用容量;

②以15K硬盤價格提供SSD;

③企業(yè)級全閃存陣列價格低至$1.66/GB(裸容量)

“硬指標才是硬道理”最實在的每GB成本計算全閃存陣列最大的優(yōu)勢就是快，滿足用戶性能快的同時其最大的門檻就是物理容量，目前在解決性能與容量的矛盾問題方面，業(yè)界友商采用了壓縮和重刪之后來計算每GB成本。但是按照戴爾的硬指標來看，全閃存陣列應(yīng)該比較物理容量才能更貼近用戶需求，而不是用不可控的壓縮或者重刪來美化結(jié)果。另一方面，戴爾也在滿足用戶全閃存陣列大容量需求的同時，Dell SC和EQ系列都支持并且免費提供壓縮和重刪功能，對于這點，戴爾在業(yè)界絕對領(lǐng)先。

TLC 3D NAND讀性能讓小伙伴驚呆了!目前，在戴爾SC存儲產(chǎn)品家族中支持3種SSD：寫密集型(WI)、高級讀密集型(PRI)和主流讀密集型(MRI)。其中新加入的MRI有4個容量標準——480GB、960GB、1.92TB和3.84TB。需要指出的是，用戶對于3.8TB的閃存容量需求，戴爾給予了業(yè)界最大化的滿足，已經(jīng)將最新的MRI最先推進到用戶應(yīng)用端。戴爾本身更愿意傾聽用戶聲音，產(chǎn)品設(shè)計源于用戶需求本身，因此對于用戶需求把控非常明確，MRI對于讀密集型需求讀用戶將會帶來一次新的飛躍。

當然，戴爾既然擁有多種類型SSD給予用戶的選擇，也是基于用戶需求差異性而考慮的。首先價格最貴的WI全面領(lǐng)先，這部分用戶需求重性能，WI可以給予充分滿足，因為WI類型SSD不僅寫性能卓越，讀性能也同樣卓越。

其次，高級讀密集型(PRI)可以滿足用戶對于讀性能讀高級需求，對于價格方面稍微不那么敏感的用戶更利于接受。

另外就是新推出的MRI(TLC 3D)在隨機和順序讀性能上與之前的讀密集型MLC一樣保持了良好的水平。當然，在對比15K HDD來看，MRI SSD在隨機IOPS方面的巨大優(yōu)勢自不必說了。

總體分析來看，戴爾將用戶對于讀寫性能需求做了細致劃分，讓用戶對于SSD性能與成本選擇上有了更多的機會，對整個全閃存陣列市場的拉力效應(yīng)必將是巨大的。新驅(qū)動器(TLC 3D)相對于當前RI(MLC)SSD，解決方案成本($/GB)降低50%，保持了優(yōu)秀的讀性能，對于在讀性能方面要求高并且還在乎成本的用戶來說，不能不算是一個福音;同時在對比15K HDD，則有著優(yōu)異的讀寫性能，并維持相同的解決方案成本，這明顯指明了用戶采用閃存替代磁盤的最佳途徑之一。

名不虛傳的殺手锏：閃存優(yōu)化分層

TLC 3D NAND SSD在SC陣列中的配置方法，戴爾有兩種方案：

a.全閃存，替代15K HDD并加快通用陣列的速度，可選7.2K HDD混合分層。該方案能夠以相同成本提供24倍硬盤配置的IOPS，具備低延時、低功耗/冷卻需求和較小的空間占用。當然這種配置應(yīng)該主要是針對讀密集型應(yīng)用，寫入數(shù)據(jù)量較大的推薦下面的方案。

b.WI寫密集型和MRI主流讀密集型SSD分層(同時也可選7.2K HDD混合分層)，TLC 3D NAND在這里進一步降低了只讀訪問的Tier 2閃存層價格，同時相比其它MLC SSD沒有性能下降。這種高級性能“閃存優(yōu)化型”陣列的特點，我們在《向Gartner全閃存魔力象限說“不”》一文中介紹過，所有來自主機的寫操作都進入RIAD 10的Tier 1，然后定期以固定尺寸數(shù)據(jù)塊順序遷移到RAID 5/6的Tier 2中，兼顧了讀/寫性能、空間利用率和閃存壽命。

可以看出，閃存優(yōu)化分層是戴爾平衡成本、性能與壽命的強大武器，并不是一味追尋所謂的“AFA(全閃存陣列)”。從數(shù)據(jù)生命周期的角度來考慮，AFA不支持磁盤是缺憾， 而戴爾堅持扎扎實實在閃存級別上做優(yōu)化，在業(yè)界唯一的SLC/eMLC分層的基礎(chǔ)上，再次全球第一個推出TLC閃存陣列。

同時，戴爾也認為TLC不是用來代替eMLC和SLC做業(yè)務(wù)密集型(如寫入頻繁的OLTP)存儲的，而是容量型，戴爾對于用戶需求定位非常準確，絕不含糊。TLC在閃存中的定位有些類似于機械硬盤中的NL-SAS，區(qū)別在于TLC的讀性能是不打折扣的。當然，對于不同用戶的需求，戴爾也有專業(yè)工具和專業(yè)人員來設(shè)計合適的方案。

因制程不同 - 3D TLC將擁有與2D MLC相對等的使用壽命

利用多層堆疊封裝，3D NAND能否提高閃存顆粒的密度。同時，搭配更加成熟3x-50nm半導(dǎo)體工藝，在相同的閃存類型(比如MLC vs. MLC，TLC vs. TLC)上比現(xiàn)今前沿的1x-20nm閃存會有更好的耐久度。我們知道，隨著cell單元尺寸的不斷縮小，NAND的P/E Cycle(編程/擦除周期)呈不斷下降趨勢。

戴爾存儲產(chǎn)品管理執(zhí)行董事Travis Vigil在他的博客中這樣寫道：“對于繁重寫入的負載，戴爾也能更長期地保護Tier 2中的3D TLC SSD。戴爾對此非常自信，承諾所有SSD類型的生命周期與陣列的服務(wù)計劃一樣長，我們將更換任何損壞的驅(qū)動器而不考慮(閃存)磨損等級或者最大壽命。”

也就是說，只要在陣列的保修服務(wù)期內(nèi)，無論SSD是否因為超出寫壽命限制而損壞，戴爾都將免費更換。

正是因為我們前面介紹的閃存優(yōu)化分層等優(yōu)勢技術(shù)帶來的改善，戴爾才能夠給出這種承諾!

戴爾SC4020現(xiàn)在能夠在2U空間內(nèi)提供90TB閃存，達到15K HDD(單盤最大600GB)密度的6倍。閃存取代高轉(zhuǎn)速硬盤的趨勢毋庸置疑，而戴爾對TLC 3D閃存的支持則像一個催化劑，將閃存陣列的普及之火會越燒越旺。

總結(jié)可見，引領(lǐng)3D NAND潮流，戴爾全閃存再次突破業(yè)界每GB成本只是一次小小的試水。在閃存領(lǐng)域的競爭征途上，戴爾永遠會堅持用戶需求定位，以最先進的技術(shù)與服務(wù)幫助用戶獲得最實在與優(yōu)惠的解決方案。對此，戴爾將會一如既往地在閃存新技術(shù)的應(yīng)用上保持既有的先進性，并在未來給予用戶更大的回報。