NAND Flash將難以擺脫被淘汰的命運
原創NAND Flash的普及給發展緩慢的存儲市場注入了新的動力，雖然相比較機械硬盤(HDD)的價格仍然較高，但憑借著出色的性能表現，全閃存陣列已經穩穩的占據了存儲高端市場。目前，很多公司的關鍵性業務上均采用了高端的全閃存存儲。
NAND Flash開創了固態硬盤(SSD)時代
雖然，NAND Flash開創了固態硬盤(SSD)時代，優勢已經得到了認可。但是，隨著新技術的發展，僅僅只是開始的NAND Flash，或將面臨著被淘汰的命運。
首先，由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發的3D XPoint技術已經正式對外公布，3D XPoint開發人員表示，新儲存裝置的速度和耐用度可達到NAND Flash的1,000倍。英特爾與美光在不久之前宣布設立新的品牌來推廣3D XPoint技術。intel宣布設立基于3D-Xpoint技術的固態硬盤新品牌命名為Optane ，美光科技也推出新的固態硬盤品牌，命名為QuantX。
3D XPoint是一種新的非易失性存儲技術
3D XPoint是一種新的非易失性存儲技術，也就是能像NAND閃存那樣斷電保持數據，但同時又有著極高的速度和性能，能夠達到DRAM內存級別，因此它既能做成硬盤，也能做成內存，而且單位容量成本介于二者之間，堪稱夢幻黑科技。
其次，IBM根據相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發的新型態儲存裝置，這項技術還可通過減少在迭代之間讀取數據時導致的延遲開銷，大大提高采用大型數據集的機器學習算法的速度。IBM則表示其開發的PCM在讀取和寫入速度方面比NAND Flash快上數百倍，預計可進行1,000萬次讀取循。
相變化存儲器(Phase Change Memory)與DRAM不同，在斷電時不會丟失數據，并且這種技術可實現至少1000萬次重復擦寫次數，而普通的USB閃存記憶棒(U盤)最多只能重復擦寫3000次。另外，相變化存儲器(Phase Change Memory)存儲器可以獨立使用，或者用作混合應用設備的一部分，此類混合應用設備整合了相變化存儲器(Phase Change Memory)和閃存，以相變化存儲器(Phase Change Memory)作為速度極快的高速緩沖存儲器(Cache)。在消費領域，手機的操作系統可儲存在相變化存儲器(Phase Change Memory)中，使手機可在幾秒鐘內開機。在企業領域，整個數據庫都可儲存在PCM中，可為時間要求苛刻的在線應用(例如金融交易)提供超快的查詢處理。
無論從哪一種技術來看，NAND Flash已經看起來是一種老舊的技術，雖然NAND Flash還并未普及。
當然，這些新技術從開發到應用，還需要一段時間。另外，新技術上市之前，價格往往都非常昂貴。不過，從成本上來看，NAND Flash與這些新技術相比并沒有任何的優勢，所以淘汰只是時間的問題。
