ReRAM技術的難題：測試
隨著AI、大數據等應用的興起，業界對于存儲的要求達到了一個新的高度。但現在主流的存儲中，NAND的傳輸速度比較慢，而傳輸較快的DRAM則是易失性的，這就推動存儲供應商往下一代的存儲進軍，其中ReRAM就是其中一個代表。
這個被稱作可變電阻式內存(Resistive random-access memory)是一種新型的非易失性內存，擁有消耗電力較低，且寫入信息速度比NAND閃存快1萬倍的特點。能夠被應用到系統的主內存(DRAM)和儲存器(NAND 閃存)之間，填補這兩者之間日益增大的延遲差距;或者被應用到神經形態計算中，實現人工智能和機器學習。早前惠普推出的新型計算機“The Machine”就應用了這項存儲技術。除此之外，包括4DS、Adesto、Crossbar、美光、松下、三星、索尼等公司也在開發 ReRAM技術。
但是，ReRAM是一項很難掌握的技術：
對晶圓廠的生產來說，它是一種相對簡單直接的工藝。ReRAM 和 STT-MRAM 都只需要少量幾個掩模步驟而且可在晶圓廠中所謂的生產線后道工序(BEOL)制造生成。而且 STT-MRAM 和 ReRAM 都構建在芯片的金屬層的觸點或通孔之上。
除制造以外，測試也是需要亟待翻越的另一座大山。如我們需要解決其中的缺陷測試問題。
在正常條件下，ReRAM能夠在HRS和LRS兩種狀態建切換，這時候CFR能夠被觀察到，然后就能根據觀察狀態找到問題所在。為達到這些目的，就需要針對可靠性評估開發出新的表征技術。自動化程度極高的Keithley 4200就能***解決這些問題。
我們知道，摩爾定律的發展，推動著邏輯產品向微縮發展。新制程、材料、架構甚至新產品概念的引入，都會給產品的可靠性帶來挑戰，進而給測試設備帶來了。例如越來越薄的氧化層，就要求更快的測試速度;如何區分和明白不同類型的缺陷，對他們來說就顯得尤其重要。
