過去的一年里，內(nèi)存價格不斷上漲，8GB DDR4內(nèi)存接近千元，DDR3內(nèi)存也被帶動漲了一波。今年內(nèi)存價格雖有所下跌，但仍然遠超去年同期水平。

大家知道，電腦是由眾多硬件組成，而每個部件都會有替代品。比如顯卡漲價了，我們買一款二手顯卡就可以，實在太貴，我們還可以使用CPU的核顯；固態(tài)硬盤漲價了，大家可以先使用機械硬盤，等到降價了再買；CPU就更不用說了，購買老型號或者超頻都能再戰(zhàn)幾年。

唯獨內(nèi)存沒有替代品，無論是DDR3還是DDR4，沒有內(nèi)存就開不了機。內(nèi)存小電腦也會特別的卡，這就導致很多朋友干脆放棄了裝機，這對DIY行業(yè)的傷害是非常巨大的。

內(nèi)存漲價原因

我們知道，內(nèi)存每一次漲價都是有原因的，基本都是“天災”，當然這種“天災”背后的真相我們不得而知。之前內(nèi)存漲價是因為工廠發(fā)生了水災，后來又是火災，最近美光又曝出工廠出現(xiàn)故障，總之，各種各樣的窘境導致了內(nèi)存漲價。

但這一次內(nèi)存漲價持續(xù)了一年之久，就不是簡單的“天災”問題了。筆者認為：目前內(nèi)存價格上漲與服務器市場和智能手機市場的火熱有著分不開的關(guān)系。2017年大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能的概念非常火熱， 這些產(chǎn)品都需要內(nèi)存，所以內(nèi)存行業(yè)的平衡被打破，漲價成為必然。

此外，挖礦行業(yè)的火爆也對內(nèi)存漲價有一定推動作用，雖然礦機對內(nèi)存要求不高，但是整體市場體量龐大。三星、美光、SK Hynix三大廠商因此轉(zhuǎn)而面向服務器客戶和大量礦機客戶，使得DIY市場DRAM顆粒嚴重不足。

雖然現(xiàn)在各大廠商都計劃建廠增產(chǎn)，但遠水解不了近渴，這種局面造成2017全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。所以內(nèi)存價格仍會居高不下。還有一點對內(nèi)存市場不利的是，2017年制作內(nèi)存的PCB板和組裝成本都在上漲，造成內(nèi)存整體成本價格不斷上漲，因此造成其零售價的漲幅變大。

2018年內(nèi)存會降價嗎？

給大家吃一個定心丸，內(nèi)存今年一定會降價，但是不是現(xiàn)在，時間預計下半年或年底。內(nèi)存價格行情要從兩方面分析：

供：DRAM增產(chǎn)有序進行中

內(nèi)存最貴的部分就是DRAM，而全球DDR4 DRAM廠商只有三家，三星、美光、海力士，下面來看一下三家閃存廠商的情況。

目前三星位于韓國平澤市的全球***閃存工廠已經(jīng)正式開工， 閃存產(chǎn)量正在穩(wěn)定提升中。并且三星在中國西安也投資升級閃存工廠，但三年才會投產(chǎn)。美光方面， 美光正在加強對臺灣工廠的投資，預計每年20億美元，工藝制程將從25nm提升至1xnm，所以生產(chǎn)效率將提升不少。

海力士則也在中國開啟了全新的投資計劃，在中國無錫，海力士打造的超級閃存工廠u通產(chǎn)能提升了2倍，將為全球內(nèi)存提供15%的產(chǎn)能！

需：智能手機遇冷

智能手機方面，由于市場未達到預期（2017年12月國內(nèi)手機銷量4261萬部，同比下滑32.5%，1-12月總銷量4.91億部，同比下滑了12.3%。），所以整體智能手機內(nèi)存并未繼續(xù)擴大。近期雖然新機不斷，但可以看到中高端手機仍然4GB和6GB內(nèi)存居多，8GB內(nèi)存鳳毛麟角。

所以內(nèi)存再以智能手機為由漲價似乎站不住腳了。礦機方面，近期虛擬貨幣受政策影響狂跌不止，挖礦成本居高不下，因此礦機銷量已基本擱置，內(nèi)存供需不平衡的關(guān)系將被打破。綜上所述，內(nèi)存降價是板上釘釘了。

DDR5內(nèi)存與傲騰爭鋒！

內(nèi)存漲價，我們使用小內(nèi)存等內(nèi)存降價并不可取。因為內(nèi)存降價是一個長期緩慢的過程，你不知道什么時候內(nèi)存價格是***點，什么時候是高位。為了節(jié)省兩三百塊錢，使其他硬件的性能長期被壓制，得不償失。

此外，玩家們不得不面對的一點就是，等到DDR4內(nèi)存降價，DDR5內(nèi)存也會鋪貨了。多方資料顯示，今年Q2季度DDR5內(nèi)存已經(jīng)出樣板片，6月份左右將會看到DDR5正式版產(chǎn)品，預計2019年初將有少量上市。

內(nèi)存標準制定機構(gòu)JEDEC此前曾表示下一代DDR內(nèi)存的帶寬和密度都是現(xiàn)在的兩倍！同時也會提供更強大的通道效率。目前，DDR4內(nèi)存的***默認頻率能夠達到2400MHz，這意味著未來我們將看到DDR5-4800內(nèi)存的出現(xiàn)。

Intel第九或十代處理器、Ryzen3或4代處理器很有可能只支持DDR5內(nèi)存，這會造就全新一波硬件大升級。（記得上次硬件提升是來自USB3.1硬件提升帶動下，很多儲存類硬件大提升）

另一方面，Intel的黑科技傲騰內(nèi)存也不可忽略，雖然現(xiàn)在傲騰內(nèi)存對比差距還比較大，但相信在財大氣粗的Intel大力研發(fā)下，內(nèi)存硬盤合體也只是時間問題。你苦苦等的DDR4內(nèi)存，也許很快就會淘汰。

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