QLC成閃存新主流：或?qū)⒔K結(jié)SSD高價低容量時代
在數(shù)據(jù)大爆炸的時代，人們對SSD容量的需求越來越多，存儲的容量面臨著***的挑戰(zhàn)。繼TLC固態(tài)硬盤成為主流之后，如今， QLC閃存也閃亮登場，滿足了用戶高密度容量的需求。
NAND閃存有SLC、MLC及TLC，現(xiàn)在又多了QLC
很多人都知道NAND閃存有SLC、MLC及TLC，現(xiàn)在又多了QLC閃存，那么它們之間到底有多少區(qū)別呢？
SLC=Single-Level Cell，每個Cell單元存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結(jié)構(gòu)簡單，電壓控制也快速，反映出來的特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間，但缺點就是容量低，成本高，畢竟一個Cell單元只能存儲1bit信息。
MLC=Multi-Level Cell，它實際上是跟SLC對應的，SLC之外的NAND閃存都是MLC類型，而我們常說的MLC是指2bit MLC，每個cell單元存儲2bit信息，電壓有000,01,10,11四種變化，所以它比SLC需要更復雜的的電壓控制，加壓過程用時也變長，意味著寫入性能降低了，同時可靠性也下降了，P/E壽命根據(jù)不同制程在3000-5000次不等，有的還更低。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每個單元可以存放比MLC多1/2的數(shù)據(jù)，共八個充電值，111、110、101、011、010、001、000。
***特點就是速度慢壽命短，約500-1000次擦寫壽命，但價格是三者***的。由于價格成本的原因，目前被廣泛運用于消費級SSD中。
QLC = Quad-Level Cell，我們知道，TLC閃存是每個Cell單元存儲3位電荷，有8種狀態(tài)，QLC閃存則是存儲4位電荷，有16種狀態(tài)，容量增加了33%，但是寫入性能、P/E壽命會再次減少。
從以上的介紹來看，QLC閃存在讀寫速度上，可靠性上相比其他三類閃存都有多下降，那么，為什么QLC還會受眾多廠商青睞呢？
如今隨著所要存儲的數(shù)據(jù)越來越多，也越來越大，存儲盤將會面臨大數(shù)據(jù)***的挑戰(zhàn)，這時候就需要大容量產(chǎn)品來存儲。所以，SSD需要更廉價的閃存解決方案，讓大容量固態(tài)硬盤價格成本更低。
雖然目前壽命和性能是QLC閃存必然的缺點，但是隨著固態(tài)硬盤工藝的提升和發(fā)展，讓其缺點得到了很好的解決。比如，英特爾推出的QLC閃存直接使用3D NAND技術(shù)，P/E壽命達到了1000次，完全不輸現(xiàn)在的3D TLC閃存。
大容量優(yōu)勢無法忽視，QLC是大勢所趨
面對全球閃存供不應求，SSD價格高漲的情況，QLC閃存的出現(xiàn)，其更便宜的成本和更大容量的優(yōu)勢是廠商和消費者們無法忽視。總之，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，QLC被廣泛認可也是早晚的事情。
