荷蘭政府正式頒布了有關(guān)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的額外出口管制的新條例。正如其在今年三月發(fā)布的消息中所述，這些新的出口管制條例主要針對(duì)的對(duì)象為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)。該措施將于2023年9月1日正式生效。

荷蘭對(duì)外貿(mào)易和發(fā)展合作部長(zhǎng)Liesje Schreinemacher表示：“我們采取這一步驟是出于國家安全考慮。對(duì)于將受到影響的公司來說，知道他們可以期待什么是好事。這將給他們一定的時(shí)間來適應(yīng)新的規(guī)則。”

根據(jù)這項(xiàng)新的規(guī)則，荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備廠商將必須為某些類型的先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口申請(qǐng)出口許可。

該訂單涉及先進(jìn)半導(dǎo)體開發(fā)和制造的一些非常具體的技術(shù)。由于它們的具體使用方式，這些半導(dǎo)體可以為某些先進(jìn)的軍事應(yīng)用做出關(guān)鍵貢獻(xiàn)。因此，貨物和技術(shù)的無管制出口可能構(gòu)成國家安全風(fēng)險(xiǎn)。

荷蘭在這方面負(fù)有額外的責(zé)任，因?yàn)楹商m在這一領(lǐng)域具有獨(dú)特的領(lǐng)導(dǎo)地位。與一般的出口管制政策一樣，這一額外的規(guī)則并不是針對(duì)特定國家。

“我們仔細(xì)考慮了這一決定，并盡可能準(zhǔn)確地起草了新的規(guī)則。”Liesje Schreinemacher說，這樣，我們就可以解決最重要的漏洞，而不會(huì)對(duì)全球芯片制造產(chǎn)業(yè)造成不必要的干擾。

關(guān)于許可證申請(qǐng)方面，荷蘭政府表示，預(yù)計(jì)一次可以申請(qǐng)24個(gè)許可證，然后每年可申請(qǐng)20個(gè)許可證。該計(jì)劃涉及荷蘭只有極少數(shù)公司生產(chǎn)的特定設(shè)備。授權(quán)義務(wù)僅適用于該計(jì)劃所涵蓋公司總產(chǎn)品組合的一小部分。

從限制政策來看，主要受影響的荷蘭企業(yè)為ASML和ASM International。

一、根據(jù)荷蘭公布的出口管制的新規(guī)來看，此次限制材料、設(shè)備及技術(shù)具體如下：

1、3B001.l ：EUV  pellicle

EUV pellicle 即EUV光罩保護(hù)膜，是在EUV曝光制程中保護(hù)光罩（mask）免受污染的超薄膜形態(tài)的消耗性材料。因?yàn)镋UV設(shè)備的結(jié)構(gòu)是光經(jīng)過反射鏡后，再到光罩，再投射到芯片，因此光源損失很大。要想使光源損失降到最低，必須使用穿透率超過90%的EUV pellicle。

目前光罩保護(hù)膜主要供應(yīng)商是荷蘭ASML、日本三井化學(xué)和韓國S&S Tech，此外三星也在研發(fā)EUV pellicle。

2、3B001.m：

EUV pellicle生產(chǎn)設(shè)備。

3、3B001.f.4：

光刻設(shè)備，如下所示：

使用光電或X射線方法對(duì)準(zhǔn)和曝光芯片的直接步進(jìn)式芯片或掃描儀設(shè)備，具有以下任一項(xiàng)或兩項(xiàng)：

①.光源的波長(zhǎng)短于193nm；

這里指的就是EUV光刻機(jī)，其工作的光源波長(zhǎng)為13.5nm（DUV，包括浸沒式DUV的光源波長(zhǎng)都是193nm，只不是浸沒式DUV的光源經(jīng)過了浸沒式系統(tǒng)使得光源發(fā)生折射后，等效132nm波長(zhǎng)）。荷蘭很早就在美國的要求下，限制了EUV光刻機(jī)的對(duì)華出口，雖然荷蘭政府之前一直否認(rèn)受到了美國政府的干預(yù)。

早在2018年初，ASML與中芯國際正式達(dá)成了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)的采購訂單，價(jià)值約1.2億美元，原本預(yù)計(jì)將于2019年底交付，但是卻因荷蘭政府沒有向ASML發(fā)放新的出口許可證，導(dǎo)致無法交付。現(xiàn)在荷蘭正式將明文將EUV列入了出口限制當(dāng)中，也算是將原本臺(tái)面下的限制正式放到了臺(tái)面之上。

②.光源的波長(zhǎng)等于或大于193nm：

   a.能夠產(chǎn)生具有45nm或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的圖案；和

   b.小于或等于1.50nm的最大專用卡盤覆蓋（DCO，是通過相同的光刻系統(tǒng)在芯片上曝光的現(xiàn)有圖案上對(duì)準(zhǔn)新圖案的準(zhǔn)確度）值。

技術(shù)說明：

最小可分辨特征大小（MRF）根據(jù)以下公式計(jì)算：

荷蘭DUV光刻機(jī)一律管制出口？一文看懂

其中K因子為：0.25，（MRF）與分辨率相同。

正如芯智訊此前解讀日本新規(guī)時(shí)所指出的那樣，以上公式其實(shí)是瑞利公式，即光刻機(jī)分辨率為 R=k*λ（光源波長(zhǎng)）/NA（數(shù)值孔徑）。荷蘭政府對(duì)于K1常數(shù)的限定為0.25，并且限定能夠生產(chǎn)的最小可分辨特征尺寸小于或等于45nm的光刻機(jī)。并且，DCO值小于或等于1.50nm。

根據(jù)ASML公布的數(shù)據(jù)顯示，其NXT1980系列的分辨率為38納米左右，但是其DCO值是小于等于1.6nm。荷蘭政府的要求似乎是需要同時(shí)滿足最小可分辨特征尺寸小于或等于45nm和DCO值小于或等于1.50nm這兩個(gè)條件，因此，ASML的NXT1980系列依然可以不受出口限制影響。

4、3B001.d.12：

用于金屬剝離的原子層沉積（ALD）設(shè)備

①.具有以下所有特征：

a.一種以上的金屬源，其中一種已被開發(fā)用于鋁（AI）前體；和

b.原材料容器設(shè)計(jì)用于45°C以上的溫度；

②.設(shè)計(jì)用于沉積具有以下所有特征的“臺(tái)階式”金屬：

a.沉積碳化鈦鋁（TiAlC）；和

b.高于4.0eV的“特定功函數(shù)的金屬”的可能性。

技術(shù)說明：“特定功函數(shù)的金屬”是一種調(diào)節(jié)晶體管閾值電壓的材料。

某半導(dǎo)體設(shè)備大廠內(nèi)部人士告訴芯智訊：“TiAlC是調(diào)HKMG里功函數(shù)的材料，限制它等于16nm HKMG被限（28 TiAlC用PVD），只能用Poly Gate，不能用Metal Gate了。”

芯智訊注：這類制程總體可分為2類，分別為High-k/Metal Gate（HKMG）及 Poly/SiON。HKMG是金屬柵極/高介電常數(shù)絕緣層結(jié)構(gòu)，Poly/SiON多晶硅氮氧化硅。Poly/SiON功耗表現(xiàn)較好且價(jià)格較低，但HKMG可提供較佳的效能表現(xiàn)，因此對(duì)于性能要求較高及應(yīng)用于高階電子產(chǎn)品的芯片多采用HKMG。

5、3B001.a.4：

設(shè)計(jì)用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長(zhǎng)的設(shè)備。

具有以下所有特征：

a.在工藝步驟之間維持用于高真空（小于或等于0.01Pa）或惰性氣體（水和氧分壓小于0.01Pa）的多個(gè)腔室和裝置；

b.至少一個(gè)預(yù)處理室，所述預(yù)處理室設(shè)計(jì)用于表面制備以清潔晶片的表面；和

c.外延沉積工作溫度685°C或以下。

6、3B0001.d.19：

設(shè)計(jì)用于在介電常數(shù)低于3.3的金屬線之間的深度與高度之比（AR）等于或大于1:1的小于25nm寬的空間中沉積由無空穴等離子體增強(qiáng)的Low K電介質(zhì)的設(shè)備。

芯智訊注：這項(xiàng)規(guī)則主要用于限制專門用來沉積Low K材料的沉積設(shè)備。Low K材料主要用于層間介質(zhì)，減小電容，從而減小RC信號(hào)延遲，提高器件的工作頻率。一般low-k材料介電常數(shù)低于3.0（High-k材料的介電常數(shù)大于SiO2的介電常數(shù)3.9）。猜測(cè)這里應(yīng)該是限制生長(zhǎng)這類Low K材料的CVD/PVD設(shè)備。

7、3D007：

專為開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d..19中規(guī)定的設(shè)備而設(shè)計(jì)的軟件。

8、3E005：

開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d..19中規(guī)定的設(shè)備所需的技術(shù)。

二、ASML發(fā)聲明：NXT:1980系列浸潤式光刻系統(tǒng)可以繼續(xù)出口

針對(duì)荷蘭政府的出口管制新規(guī)，ASML第一時(shí)間也通過官網(wǎng)發(fā)布了一份聲明。

ASML表示，根據(jù)新出口管制條例規(guī)定，ASML需要向荷蘭政府申請(qǐng)出口許可證才能發(fā)運(yùn)最先進(jìn)的浸潤式DUV系統(tǒng)（即TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)）。荷蘭政府將決定是否授予或拒發(fā)出口許可證，并將向ASML提供許可證所附條件的細(xì)節(jié)。

ASML的EUV光刻系統(tǒng)在此前已經(jīng)受到限制。

ASML其他光刻系統(tǒng)，即TWINSCAN NXT：1980系列浸潤式光刻系統(tǒng)，以及更低端的光刻設(shè)備的出口未受荷蘭政府管控。

據(jù)ASML相關(guān)人士向芯智訊透露，目前NXT:1980系列已經(jīng)升級(jí)到了NXT:1980 F，NXT:1980D是兩代之前的產(chǎn)品了。之前的NXT:1980 D/E都是基于NXT3平臺(tái)，F(xiàn)是新的NXT4平臺(tái)，主要是升級(jí)了晶圓處理速度，每小時(shí)的生產(chǎn)晶圓數(shù)量從275wph上升到了295wph，而且NXT4平臺(tái)還能支持后續(xù)升級(jí)到330-350wph。

ASML表示，將繼續(xù)遵守適用的出口管制條例，其中包括荷蘭、歐盟及美國的出口管制條例。荷蘭政府新頒布的出口管制條例將于2023年9月1日生效，在此日期前，ASML可開始提交出口許可證申請(qǐng)。荷蘭政府將視具體情況批準(zhǔn)或拒絕這些申請(qǐng)。 ASML強(qiáng)調(diào)，其認(rèn)為荷蘭政府這些管制條例不會(huì)對(duì)已發(fā)布的 2023 年財(cái)務(wù)展望以及于2022年 11 月投資者日宣布的長(zhǎng)期展望產(chǎn)生重大影響。

三、對(duì)ASM International影響幾何？

ASM International是為全球最大的芯片制造商提供半導(dǎo)體晶圓加工設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商，專注于沉積設(shè)備，擁有最大的單晶圓 ALD 應(yīng)用組合，在外延設(shè)備領(lǐng)域的份額也不斷增長(zhǎng)，并且提供 PECVD 和立式爐設(shè)備。2022 年，ASM還增加了一條新的產(chǎn)品線：碳化硅 (SiC) 外延設(shè)備。

資料顯示，全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)主要被美國應(yīng)用材料和泛林集團(tuán)、日本東京電子所占據(jù)。但是，荷蘭ASM在薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)也具有一定的市場(chǎng)份額。比如在ALD 設(shè)備領(lǐng)域，ASM大約占據(jù)全球ALD設(shè)備55%的市場(chǎng)份額，是全球最大、市占率最高的ALD設(shè)備供應(yīng)商。ALD業(yè)務(wù)也是ASM最大的設(shè)備營收來源，占比一半以上。

2022年ASM營收達(dá)到24.11億歐元，同比增長(zhǎng)33%，營業(yè)利潤同比增長(zhǎng)29%至6.32億歐元，這是該公司連續(xù)第六年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。ASM的營收增長(zhǎng)主要受益于最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的邏輯代工和內(nèi)存新需求，尤其在3D NAND領(lǐng)域，ASM的ALD設(shè)備收獲了創(chuàng)紀(jì)錄的訂單，此外，先進(jìn)DRAM器件中ALD High-k金屬柵極的需求也持續(xù)強(qiáng)勁。

正如荷蘭新規(guī)當(dāng)中所列，ASM  International的ALD設(shè)備及外延設(shè)備可能將會(huì)受到影響。

目前ASM  International尚未發(fā)布聲明對(duì)于荷蘭的限制新規(guī)進(jìn)行回應(yīng)。

四、中國駐荷蘭大使館回應(yīng)

6月30日，荷蘭政府正式出臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施之后，中國駐荷蘭大使館回應(yīng)稱，荷蘭政府此舉這是對(duì)出口管制措施的濫用，是對(duì)自由貿(mào)易和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重背離，中方對(duì)此堅(jiān)決反對(duì)。

同時(shí)，中國駐荷蘭大使館強(qiáng)調(diào)，荷方以所謂“國家安全”為由人為設(shè)限毫無道理，完全站不住腳。在科技領(lǐng)域人為制造壁壘，在法律上、道義上沒有依據(jù)。荷蘭政府這種行為不僅損害中國企業(yè)的正當(dāng)合法權(quán)益，也會(huì)讓荷蘭企業(yè)蒙受損失，損害全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，還將破壞荷支持自由貿(mào)易的良好信譽(yù)。

中國駐荷蘭大使館還呼吁“荷方從維護(hù)國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中荷經(jīng)貿(mào)合作大局出發(fā)，立即糾正錯(cuò)誤做法。……”