過去的十年里，閃存革新了數(shù)據(jù)存儲和系統(tǒng)技術。但是閃存在性能、功率和使用壽命等方面也存在一些比較嚴肅的問題。而且它不會像其他半導體技術那樣不斷縮小工藝尺寸，所以廠商不得不采用大尺寸的3D制造。這就是為什么該行業(yè)會對NVRAM技術的發(fā)展而感到興奮了。英特爾的3D Xpoint是其中最有名的，但也有其他幾家公司在努力為靜態(tài)RAM (SRAM)以及DRAM創(chuàng)建可行的替代方案。

MRAM是什么?

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對于MRAM的定義，下面有一段介紹：

……非易失性存儲器技術，通過磁存儲元件存儲數(shù)據(jù)。這些元件是兩個鐵磁板或電極，它們可以維持一個磁場，并且由非磁性材料分開……其中一個板塊的磁化強度是固定的(也就是一個“參考層”)……第二個板塊通常被稱為自由層，它的磁化方向可以由一個較小的磁場改變。

這里是一個簡單的圖示:

磁RAM，或稱MRAM，已經(jīng)投入生產(chǎn)了10年，主要用于嵌入式系統(tǒng)。通常，出于電力或耐久性的原因，閃存無法介入這一領域。其供應商，如Everspin和Spin Transfer Technologies(以下簡稱STT)，一直致力于提高MRAM的密度、性能和耐久性。

與閃存相比，MRAM有一些很大的優(yōu)勢，包括:

• 低成本制造
• 制造工藝在28nm以下，不像閃存。
• 功耗更低，甚至比閃存低數(shù)百倍。
• 字節(jié)可尋址，如DRAM，不像閃存。

但MRAM也存在缺陷。許多嵌入式系統(tǒng)必須在高溫下運行，而高溫往往會損害數(shù)據(jù)保存能力。雖然MRAM單元所占的面積只有SRAM的一小部分，但今天它并沒有那么快，其保持力和耐久性也不是那么好。當MRAM與DRAM對比競爭時，性能也是一個問題，還有密度。

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什么是進動自旋流?

進動自旋流(PSC，PRECESSIONAL SPIN CURRENT)的物理實現(xiàn)是在垂直磁性隧道結(pMTJ)上的三層薄層。這些薄的、獲得了專利的層對pMTJ的作用有四點:

·減少寫入單元所需的電流。

·在讀取時提高單元的數(shù)據(jù)保留度約10000x，減少讀取干擾問題。

·由于寫入電流減少，PSC增加了100x到1000x的耐久度。

·同時，隨著特征尺寸的縮小，單元行為提高。

研發(fā)這一技術且獲得專利的，正是初創(chuàng)公司STT。該公司有一個磁學研發(fā)Fab，以5天的周期時間快速建立測試芯片。他們把芯片測試——每個都有數(shù)千個pMTJ設備——擴展到測試溫度、開關電流和其他參數(shù)。

市場情況

目前臺積電、三星和格羅方德都有MRAM產(chǎn)品。此外，SK Hynix、東芝和高通等公司也在這方面進行研發(fā)，整個行業(yè)約投資了10億+美元，聚焦在Fab設備、材料研究和EDA工具等層面。

那么MRAM的未來之路是什么樣的呢?我們倒是期待它能有像當年NAND閃存一樣的經(jīng)歷。閃存在80年代開始出貨，并慢慢地在硬盤上增加了磁盤技術無法提供的容量，例如Compact Flash(緊湊式閃存)。然后，真正的爆點出現(xiàn)了：閃存達到了DRAM的價格。在近20年的時間里，突然間交易量激增，價格跳水，在接下來的5年里，閃存仿佛一夜之間獲得了成功。

據(jù)了解，STT的PSC技術直到2019年中后期才會進入商用產(chǎn)品，主要用于汽車、地理和其他困難環(huán)境的嵌入式應用。在一個日益移動化的世界，MRAM的廣泛應用將是一個很好的結果。