在「芯片法案」已經(jīng)獲得通過的大背景下，佩洛西此次竄臺，與臺積電董事長劉德音的會面?zhèn)涫荜P(guān)注。

據(jù)報道，二人主要討論了這一法案（又稱「芯片與科學法案」）的實施。

此前，佩洛西的臺積電行程并未單獨出現(xiàn)在其官方公布的行程計劃內(nèi)，而是與其他臺灣高官的會面計劃捆綁一起的。

臺積電官方拒絕對此次會面做出評論。

竄訪臺積電，逼它「選邊站」？

美國此次通過的「芯片法案」與臺積電密切相關(guān)。

目前，臺積電正在美國亞利桑那州建造一座價值120億美元的5納米制程晶圓廠，預計于2024年投產(chǎn)。

不過按照臺積電的技術(shù)路線圖，到2024年時，5納米已經(jīng)不是最先進的技術(shù)，公司沒有將最先進的芯片工廠建在海外。

按照美國的「芯片法案」，去美國本土建廠的芯片企業(yè)，都可以從520億美元的巨額補貼中分一杯羹，雖然大概率沒有英特爾拿得多，但有錢拿總是好事。

相比之下，臺積電設(shè)在中國大陸地區(qū)的工廠，技術(shù)至少落后最先進技術(shù)「兩代以上」。

臺積電在南京建有一座12英寸晶圓代工廠，采用的是16納米和28納米工藝的成熟技術(shù)，在上海也有一個8英寸晶圓廠。

目前，臺積電對中美兩國的半導體產(chǎn)業(yè)而言，都有難以替代的重要作用。而臺積電也一直在美國和中國之間試圖取得平衡。

不過，此次通過的「芯片法案」規(guī)定，要想接受美國政府的補貼和資助，就必須承諾不在中國大陸地區(qū)增加先進芯片的產(chǎn)能。

看起來，對臺積電來說，「選邊站」似乎是免不了的事了。

臺積電董事長劉德音此前在接受CNN采訪時說，沒有人可以用武力控制臺積電，因為任何軍事行動或 都會導致 「臺積電工廠無法運作」 。他還說，臺積電不應該僅僅因為離中國大陸近而受到「歧視」。

由此次佩洛西竄訪導致的兩岸緊張氣氛，更是體現(xiàn)在了分析人士的觀點中。

有「中國通信業(yè)知名觀察家」頭銜的微博用戶@飛象網(wǎng)項立剛在社交媒體上表達了自己的觀點。

他認為：大陸和臺灣的芯片企業(yè)，主要是競爭，而且是殘酷競爭，沒有合作，或者說是競爭大于合作。

「臺灣芯片企業(yè)在大陸是利用大陸的政策、資金、資源、人才，尤其是利用大陸的市場。」他說。

「芯片法案」下周簽署

這項讓佩洛西「竄訪」臺積電的「芯片法案」，已經(jīng)在7月底憑借著眾議院243-187票和參議院64-33票獲得了通過。

其最終版本的資金規(guī)模高達2800億美元，除了包含此前520億美元對芯片企業(yè)的建廠補貼和稅收優(yōu)惠外，還包含投資2000億美元加強人工智能等技術(shù)領(lǐng)域的研究，100億美元建設(shè)20個技術(shù)研究中心以及其他數(shù)十億美元的投資等等。

此外，該法案將在五年內(nèi)撥款超過1700億美元用于促進美國的科學研究。

英特爾透露，通常來說建造建造一座新的晶圓廠，成本大概需要100億美元。而有了「芯片法案」，企業(yè)就能節(jié)省其中的30億美元。

隨后，美國白宮在8月3日的一份新聞聲明中表示，拜登將于8月9日對法案進行簽署。

至此，這項醞釀了兩年的「芯片法案」，距離落地也只差最后的臨門一腳了。

韓國巨頭重新觀望

在「芯片法案」的影響下，韓國的芯片制造商也開始對中國市場有所顧忌。

分析師和業(yè)內(nèi)消息人士稱，日益加劇的緊張局勢可能讓三星和SK海力士不得不重新審視在中國的投資戰(zhàn)略。

曾任韓國貿(mào)易部長的經(jīng)濟官員Yeo Han-koo表示，韓國芯片制造商針對美國和中國的「戰(zhàn)略調(diào)整」已經(jīng)開始。

三星在去年就宣布正在美國德克薩斯州投資170億美元，新建一座晶圓代工廠，以期趕上對手臺積電。拜登在5月訪韓期間，參觀了三星的平澤工廠。

而在上個月SK集團的董事長宣布在美國投資220億美元的半導體、電動汽車電池和綠色技術(shù)，包括新的先進芯片封裝廠。

美國總統(tǒng)喬·拜登（右）與韓國總統(tǒng)尹錫烈于5月訪問平澤的三星電子工廠

在中國，兩家大廠也撒下不少投資。

三星在中國西安的存儲芯片業(yè)務是該國最大的外國芯片項目之一，自2012年破土動工以來，該公司已累計投資約260億美元。

根據(jù)TrendForce去年底的數(shù)據(jù)，西安工廠占三星全球NAND閃存產(chǎn)能的43%，占全球總產(chǎn)能的15%。

而SK海力士剛在去年年底完成了以90億美元收購英特爾NAND業(yè)務的第一階段，其中就包括位于大連的NAND制造工廠。

同時，SK海力士在無錫的DRAM內(nèi)存芯片工廠，也極可能受到影響。因為由于美國的阻撓，SK海力士無法使用荷蘭公司ASML制造的最新極紫外光刻 (EUV) 芯片制造機，升級其在無錫的DRAM存儲芯片生產(chǎn)設(shè)施。

專家表示，美國的制裁將會帶來巨大的代價——破壞脆弱的全球芯片供應鏈，畢竟三星和SK海力士控制著全球50%以上的NAND閃存芯片市場。

在全球經(jīng)濟放緩的情況下，消費者的需求本就十分疲軟，又恰逢全球芯片供應短缺，美國導致的新一輪動蕩已經(jīng)開始擾亂從汽車到電子設(shè)備的市場。

現(xiàn)在，全球的芯片短缺本就尚未解決，任何新的動蕩跡象都會點燃市場的焦慮，引發(fā)價格的飆升。

此外，制造芯片用設(shè)備在生產(chǎn)開始的幾個月前就必須完成安裝，并進行全面測試。將設(shè)備運往中國的任何延遲都將對芯片制造商構(gòu)成極大的挑戰(zhàn)。

「許多美國公司都使用三星和 SK 海力士的存儲芯片。無論（三星和 SK 海力士）最終選擇何種戰(zhàn)略，都會產(chǎn)生全球性的影響。」BNK Securities分析師Lee表示。

存儲芯片也被針對

據(jù)路透社報道，美國正在考慮禁止向中國出口用于制造先進NAND存儲芯片的設(shè)備。

就在幾天前，以參議院多數(shù)黨領(lǐng)袖查克·舒默為首的多位美國參議員致信美國商務部長，要求將長江存儲等中國芯片制造商加入美國貿(mào)易黑名單。

目前，長江存儲及其母公司紫光集團還沒有就此發(fā)表意見。

時值美國加大力度遏制中國半導體產(chǎn)業(yè)之際，這一消息顯得尤為敏感。

與此同時，中國正在推動戰(zhàn)略經(jīng)濟部門實現(xiàn)更大程度的自給自足，以減少對此類技術(shù)進口的依賴。

美國半導體設(shè)備供應商Lam Research和KLA Corp表示，美國正在推動對中國實施更嚴格的出口法規(guī)，涵蓋制造14納米及以下芯片所需的設(shè)備。

此舉使得中國頂級芯片制造商——中芯國際（SMIC）進軍先進芯片制造領(lǐng)域的腳步變得更為艱難。

中芯國際在2020年12月，被加入了美國的實體限制名單。但長江存儲自2016年以來，卻始終與美國保持良好關(guān)系，從未登上任何美國的貿(mào)易黑名單。

就在禁令的報道發(fā)布之際，長江存儲還一直在加緊建設(shè)其在武漢的第二家制造廠。據(jù)日經(jīng)亞洲報道，該公司于6月開始在新芯片廠安裝設(shè)備，最早可在2023年生產(chǎn)196層3D NAND閃存。

不可否認的是，長江存儲現(xiàn)在仍然嚴重依賴進口芯片制造設(shè)備。

中信證券首席電子分析師徐濤在最近的一份研究報告中表示，截至今年7月，長江存儲只有18%的制造設(shè)備來自國內(nèi)企業(yè)。

韓國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與貿(mào)易研究所高級研究員金陽鵬表示：「很明顯，如果沒有美國的技術(shù)來源，對中國來說，半導體生產(chǎn)是相當困難的。」