【51CTO.com原創稿件】據國外媒體報道，閃存芯片研發生產廠商SK Hynix(海力士)已經完成了10nm級DRAM的研發工作，并將于2017年開始大規模量產10nm級DRAM。據了解，為了增加DRAM的產品競爭優勢，SK Hynix(海力士)在結束了1xnm DRAM研發工作的同時還開始1ynm DRAM的研發工作，并且同步建立了1znm DRAM的研發團隊。 

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　　如果情況屬實，那么SK Hynix(海力士)將成為繼三星之后第二家邁入10nm DRAM的生產制造廠商。不過，三星電子在今年第二季度已經開始量產1xnm DRAM，如果SK Hynix(海力士)能在2017年第二季度實現1xnm DRAM的量產，它們之間的差距將縮減到1年。

　　大家知道，半導體芯片產品在制造過程中分為工程樣品(ES)和客戶樣品(CS)兩種類型。工程欄目(ES)用于內部測試，客戶樣品是為了在客戶端測試過程中發現并修復工程樣品可能存在的某些問題，當客戶樣品測試完成了之后可以判定完成了產品的開發過程。據了解，SK Hynix(海力士)1xnm DRAM的項目命名為WieAlius，目前已經有了晶圓原型，正在進行量產前可行性的最終測試。

　　另外，有報道稱SK Hynix(海力士)即將立即執行客戶樣品測試的流程，這說明SK Hynix已經基本成功完成了1xnm DRAM開發。

　　在加快10nm DRAM量產進度的同時，SK Hynix(海力士)還全面啟動了1ynm和1znm DRAM的開發工作，分別命名為“Davinci”和“Rigel”，希望通過加快這兩項新項目的研發來減少與三星之間的差距，這也是SK Hynix目前正在進行的“+2”策略。所謂的“+2”策略是存儲行業中完成一個產品的開發后同時開始進行后面兩代產品的開發。

　　從***的報道來看，SK Hynix(海力士)將在2017年***季度對位于利川的M14工廠投入生產設備，為批量量產做準備，并將于2017年的第二季度開始1xnm DRAM的批量生產。

　　市場預測，2017年將是SK Hynix(海力士)變化***的一年，在閃存市場需求持續增長的前提下，若SK Hynix2017年的技術開發能一切順利，其年營業利潤將進一步成長。

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