北京時間 7 月 17 日消息，韓國一個科研團隊已成功在大尺寸晶圓上成功實現(xiàn)了一種更節(jié)能的三元金屬氧化物半導體。

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▲開發(fā)三元金屬氧化物半導體的韓國科技團隊

韓國蔚山科學技術大學電子和計算機工程系教授 Kyung Rok Kim 及其團隊，成功開發(fā)了一種根據(jù)三進制邏輯系統(tǒng)而非現(xiàn)有二進制邏輯系統(tǒng)運行的半導體。這一研究的論文發(fā)表在《自然·電子學》上。

該科研團隊表示，利用由 0、1、2 組成的三進制系統(tǒng)，減少了半導體需要處理的信息數(shù)量，提高信息處理速度，從而降低能耗。它還有助于進一步減小芯片尺寸。

例如，利用二進制表示 128 這個數(shù)，需要 8 “位”數(shù)據(jù)；利用三進制則只需要 5 “位”數(shù)據(jù)。

電流泄露是進一步減小芯片尺寸的一個主要障礙。在較小的空間內封裝更多電路，會使隧道效應更嚴重，增加泄露的電流，也意味著設備會消耗更多電能。

Kyung Rok Kim 表示，如果這一半導體技術商業(yè)化，這不但標志著芯片產業(yè)發(fā)生根本性轉變，也將對人工智能、無人駕駛汽車、物聯(lián)網(wǎng)、生物芯片和機器人等嚴重依賴半導體的產業(yè)產生積極影響。

自 2017 年 9 月以來，三星一直通過三星科學和技術基金會資助 Kyung Rok Kim 的研究。三星科學和技術基金會對有前景的科技項目提供支持。

三星已經(jīng)在芯片代工業(yè)務部門驗證這一技術。