又一全球首款,在這里!
一夜之間,地攤經(jīng)濟火遍大江南北
小編也來借勢為自家產(chǎn)品帶個貨
首先文案得“接地氣”
大概是這樣

接著還得吆喝
如何讓老板們駐足停留呢?
這個小編也想好了
老板們肯定要問了,為什么是首款呢?
這是因為目前其他廠商所宣傳的支持SCM只是將SCM作為二級緩存以改善存儲性能,只有戴爾易安信PowerMax(如今還有剛發(fā)布的PowerStore)真正可以將SCM作為持久數(shù)據(jù)存儲層!
怎么樣,是否有興趣來了解一下?
來,今天小編就帶你來“扒一扒”高端存儲PowerMax!
高端存儲新篇章
2018年5月1日,戴爾科技推出了全新的高端存儲PowerMax,從而開創(chuàng)了高端存儲新紀(jì)元。

五大技術(shù)要點:
● 端到端NVMe就緒
● SCM盤就緒
● 千萬IOPS
● 實時機器學(xué)習(xí)
● 在線重復(fù)數(shù)據(jù)消除(去重)和壓縮
▐ 而在一年之后的2019年9月,戴爾科技發(fā)布最新PowerMaxOS,全面支持端到端的NVMe和SCM盤。不僅如此,還有全新的含4個32G FC端口的前端主機接口卡,全面支持了32G FC接口。
此次更新意味著PowerMax實現(xiàn)了從端到端NVMe和SCM盤就緒到全面支持,以及前端主機FC端口全面支持32G接口,實現(xiàn)了如虎添翼的騰飛!

32G FC SLIC (用戶線接口控制器)
全新32G FC SLIC(subscriber line interface controller, 用戶線接口控制器,以下簡稱“接口卡”)。如下圖所示,32G FC接口卡具有4個32G FC端口,可自協(xié)商成線速16G和8G。
該32G FC接口卡支持如下兩種類型的仿真(Emulation):
◆ 傳統(tǒng)的FC仿真(即FA仿真)
◆ 新增的FC-NVMe仿真 (即FN仿真) ,以便實現(xiàn)端到端的NVMe
問:這次更新支持32G FC接口卡是否也包含以往的PowerMax?
答:是的。不僅PowerMax 2000和PowerMax 8000的制造廠新出的存儲支持32G FC 接口卡,而且現(xiàn)有的PowerMax 2000和PowerMax 8000可以通過升級微碼到合適版本后即可安裝32G FC 接口卡,不過需要現(xiàn)場服務(wù)。
端到端的NVMe可用
PowerMax自發(fā)布之日即已經(jīng)實現(xiàn)了NVMe的磁盤接口,支持NVMe接口的NAND閃存。
而此次更新后,SAN交換機要求第五代(16G)以上,最好是第六代(32G/128G)SAN交換機,優(yōu)先推薦第六代SAN交換機。
OEM自博科第五代(16G)以上SAN交換機都支持NVMe,微碼版本最低要求FOS 8.1.0。
OEM自思科16G MDS系列SAN交換機(包括MDS 9700、9396S、9250i和9148S)以及32G MDS交換機(MDS 9700,9148T,9132T和9396T)都支持NVMe,微碼版本最低要求NX-OS 8.1.1。
需要說明的是,以上SAN交換機上支持NVMe并不需要改變硬件,充分保護(hù)了客戶的投資。
博科SAN交換機的微碼需要升級到FOS 8.2.x以上版本,思科MDS系列交換機需要升級到NX-OS8.x以上版本。
主機端的HBA也需要支持NVMe,這就要求是第六代(Gen 6)的HBA卡。
下圖表示從主機到存儲都支持NVMe Over FC的協(xié)議層的情況:
下圖是從主機到存儲端到端支持NVMe的拓?fù)鋱D(以32G為例):
主機端HBA卡是32G,支持NVMe。FC Fabric由前面提到的OEM自博科或思科的16G以上的支持NVMe的SAN交換機構(gòu)成。存儲端是前端接口卡為32G且存儲內(nèi)部是NVMe SSD的全閃存儲,例如PowerMax 2000或PowerMax 8000。
SCM盤可用
SCM(Storage Class Memory,存儲級內(nèi)存)盤作為最新的、性能最高的非易失性存儲介質(zhì),充分發(fā)揮了現(xiàn)代CPU和SSD的并發(fā)性,克服了SAS和SATA盤的存儲協(xié)議的串行訪問的限制。
如下圖所示,SCM盤具有三大特性:
◆ 比閃存性能更高
◆ 比DRAM價格低
◆ 非易失性介質(zhì)
PowerMax全面支持SCM盤,從而增強了PowerMax作為企業(yè)級存儲的領(lǐng)導(dǎo)地位,進(jìn)一步增強與友商的競爭優(yōu)勢,拉開了與競爭友商的距離。
NVMe接口和采用3D XPoint等技術(shù)的SCM盤延時更低,當(dāng)單盤寫壓力增加到600MB/s 以上的時候,相對SAS NAND閃盤和NVMe NAND閃盤,NVMe接口的SCM盤的延時更低,而且延時在30微秒左右,幾乎沒有增加多少。而SAS NAND閃盤和NVMe NAND閃盤的延時會隨著單盤寫壓力的增大到一定程度后急劇增加。
目前,PowerMax支持兩種SCM盤的配置方式。
☞ 第一種是SCM盤與NAND閃盤并存,支持FAST(Fully Automated Storage Tiering,完全自動存儲分層)架構(gòu)和機制,最活躍的數(shù)據(jù)提升到SCM盤(NAND SCM),較長時間不用的數(shù)據(jù)自動降級到NAND閃存(SCM NAND)。
☞ 第二種是100%SCM盤,即所有的盤都是SCM盤,這種全SCM盤的配置模式進(jìn)一步把友商甩開一條街。

PowerMax
第五代存儲中的高端存儲
第五代存儲是戴爾科技集團(tuán)聯(lián)合IDC發(fā)布《第五代存儲阻力數(shù)字化轉(zhuǎn)型》報告,正式提出第五代存儲概念。
第五代存儲具有五大特質(zhì):有效容量,敏捷高速,無縫接云,數(shù)據(jù)護(hù)航和AI賦能。
如下圖所示,PowerMax作為第五代存儲中的高端存儲,擁有以上的所有五大特質(zhì)。
PowerMax通過利用全新的SCM盤、32G接口卡以及基于32G FC-NVMe前端連接,客戶可以預(yù)期明顯的性能提升的:
◆ 高達(dá)350GB/s的吞吐,是現(xiàn)在的2倍以上(現(xiàn)在最大吞吐使150GB/s)
◆ 超過1500萬IOPS-比現(xiàn)在提升50%
◆ 比現(xiàn)在SAS flash drive低50%的響應(yīng)時間以及低于0.1ms的讀延時。
有了端到端的NMVe、SCM盤和32G接口卡,PowerMax作為第五代存儲中的高端存儲,就是如此強大、簡單、值得信賴!

相關(guān)內(nèi)容推薦:第五代存儲革命性創(chuàng)新產(chǎn)品現(xiàn)已上市!
相關(guān)產(chǎn)品:Dell EMC PowerStore X 系列存儲
【責(zé)任編輯:張燕妮 TEL:(010)68476606】





























