當地時間2月4日，美國眾議院以222票贊成、210反對的投票結果通過了《2022美國競爭法案》。

該法案全文長達近3000頁，主要內容包括旨在促進美國半導體制造業的大規模投資。

其中包括約520億美元（約合人民幣3308億元）對半導體行業的撥款和補貼，以及450億美元（約合人民幣2672億元）用于加強高科技產品的供應鏈。試圖從而在全球范圍內「更好地」與中國競爭。

行業報告估計，這些投資將使美國能夠在未來10年內建設19個工廠，并讓芯片制造能力翻倍。

此外，該法案還包括為一個幫助發展中國家適應氣候變化的基金提供80億美元；劃撥30億美元用于降低對中國太陽能制造行業的依賴；為幫助失業率明顯高于全國平均水平的社區提供40億美元；以及為各州儲備藥品和醫療設備提供105億美元。

由于新冠疫情使芯片供應鏈的緊張局勢一直得不到緩解。美國商務部上周發布了一份報告稱，一些半導體產品的庫存中值已經從2019年的40天下降到2021年的不到5天。而這個問題在未來六個月內都不會解決。

美國商務部長吉娜·雷蒙多在討論該法案時表示，該法案中「最緊迫的需求」是520億美元用于國內芯片生產，因為全球芯片短缺對包括汽車行業在內的經濟的影響，以及在海外制造如此多半導體對國家安全的影響，已經到了必須要應對的地步。

「我們不能再等了，我們落后太多了。就國家安全而言，我們處于如此危險的境地，在最先進的芯片上嚴重依賴海外。」

雷蒙多的表態可能并不是危言聳聽。

自上世紀90年代以來，美國在全球半導體制造業中的份額從1990年的37%穩步下降到現在的12%左右。此次通過的法案正試圖扭轉這一趨勢，業內官員稱，這個法案的通過的最大推動力實際上可能是外國的競爭對手。

不過，美國在芯片設計（52%）和芯片制造設備（50%）方面仍然領先。中國大陸在這兩方面都落后于美國多年。

法案中的另一項規定將對低價產品征收關稅。目前，美國對價值低于800美元的進口商品不收關稅。而該法案則取消了某些國家和地區的門檻，尤其是中國大陸。

當然，這不是美國在芯片方面的第一次布局。

2021年6月8日，美國國會參議院以68票贊成、32票反對的結果，通過了長達1400多頁《2021美國創新與競爭法案》。其中就有用于半導體、芯片和電信領域的540億美金。

該法案在提出獲批后，一年時間里因為種種原因停滯不前。

而本次獲得通過的《2022美國競爭法案》將是去年創新與競爭法案的延續。

2500億美元，《2021美國創新與競爭法案》高票通過

2021年6月8日，美國參議院以68票贊成、32票反對，壓倒性通過了長達1400多頁《2021美國創新與競爭法案》。

這項法案計劃撥款約2500億美元，以應對中國所謂的「科技威脅」。其中大部分支出發生在頭五年。

該法案的核心是向商務部緊急撥款500億美元，用于通過國會先前授權的研究和激勵計劃支持半導體開發和制造。

其中，1900億美元，從總體上加強美國的技術；540億美元，用于半導體、芯片和電信領域。

法案前3部分主要詳細介紹了美國如何在科技領域的布局：

P1：芯片和ORAN 5G緊急撥款

近幾十年，美國半導體和微電子領域的本土制造在全球占比大幅下滑。

美國公司占世界芯片銷售額的48%，但位于美國的工廠只占世界半導體制造業的12%，低于1990年的37%。而包括中國大陸在內的外國競爭者在此領域大量投入并占據主導地位。

為了保持美國在這一領域的競爭力，投資520億美元，用于和有關芯片生產、軍事以及其他關鍵行業的相關項目。

另外，15億美元投資電信領域，以加強美國在5G競爭中的創新。

法案還專門提到了華為給美國國家安全和全球電信網絡帶來的「無法接受的風險」。

P2 ：《無盡前沿法案》

未來5年投入大約1200億美元，用于包括人工智能、半導體、量子計算、先進通信、生物技術和先進能源在內的關鍵技術領域的基礎和先進研究、商業化、教育和培訓項目。

該法案主要涉及了4個立法目標：

1. 在國家科學基金會（National Science Foundation，NSF）設立一個新的技術和創新理事會（DTI，Directorate for Technology and Innovation）
2. 創設區域技術中心
3. 針對經濟安全、科學、研究、創新、制造和就業建立一個戰略報告體系
4. 設立供應鏈韌性和危機應對計劃的項目

P3 ：《2021年戰略競爭法案》

這部分法案致力于讓美國減少對中國供應鏈的依賴，加強美國「半導體」實力，以及在科研領域增加研究經費等。

為應對中國的科技競爭，該法案還提出與盟友「共享技術」戰略，包括技術控制和標準，以及關于開發和獲取關鍵技術的戰略。

在相關政策的支持下，英特爾、三星、臺積電等芯片企業已經陸續公布了在美國建設芯片工廠的計劃。

英特爾豪擲1000億美元，建世界最大芯片工廠

2022年1月，英特爾表示將投資200億美元建設2家芯片制造工廠，并計劃最終投資1000億美元，共建設8家制造工廠。其中第一座晶圓廠將于2025年上線。

據介紹，200億美元的先期投資是俄亥俄州歷史上最大規模的投資，將在新奧爾巴尼占地1000英畝（約合400公頃）的土地上創造3000個就業機會。

英特爾CEO蓋爾辛格表示，「此舉不僅是為了提高芯片產能，也是為了重振英特爾在芯片制造領域的領先地位。」

英特爾發言人威廉·莫斯表示，「我們的目標是在未來10年投資1000億美元，但如果沒有聯邦政府的支持，這一目標將很難在那段時間內實現。不過，最初的200億美元投資并不依賴聯邦補貼。」

英特爾還將大量資本用于勞動力培訓，它計劃10年內花費1億美元用于半導體教育，包括培養高技能人才。

屆時，隨著大批高技能人才輸出，英特爾表示，員工的平均年薪將達13.5萬美元（約85.6萬元）。

臺積電斥120億美元， 將5nm引入美國

臺積電早在2020年就宣布將投入120億美元在亞利桑那州鳳凰城建造一座5納米晶圓廠。

該工廠于2021年正式開工，預計在2024年投產。建成后的計劃產能將達到每月2萬片，并會聘用超過1600名員工

從政治角度講，臺積電的建廠計劃對美國來說可能是一個勝利。

時任美國商務部長羅斯（Wilbur Ross）在一份聲明中稱贊了臺積電的計劃：「這是臺積電、亞利桑那州政府和美國政府之間多年談判的結果。」

此外，據知情人士透露，美國國務院和商務部都參與了相關計劃。

臺積電表示，已將2022年的資本支出預算定在400億至440億美元之間，創下歷史高位，2021年的資本支出約為300億美元。

三星170億美元，建3nm芯片廠

三星電子于2021年11月宣布在美國建設半導體代工廠。

據悉，三星將在得克薩斯州泰勒市投入170億美元，建造半導體工廠。2022年開工建設，力爭2024年下半年投入運行。有分析認為，該工廠將生產電路線寬為3納米的新一代產品。

這項在得克薩斯州的投資也顯示出擴大芯片生產規模之艱難。工廠造價高，使用的先進工具每件成本可能超過1.5億美元，而且需要多年才能建成。

美國政府的態度對此次三星建設工廠明顯發揮了作用。美國商務部部長吉娜·雷蒙多在聲明中表示歡迎稱，「增加半導體的國內生產，對于美國的經濟安全保障來說非常重要。」

據報道，三星計劃在未來數年內投資超過2050億美元，旨在提振芯片和生物技術產業，其中芯片制造是優先事項。

美國芯片制造業外流，但不是中國大陸

據美國半導體行業協會2020年的統計，在所有美國擁有和經營的晶圓廠中，位于中國大陸的只占不到2%，在美國半導體行業的全球總產能中僅占5.6%。

雖然有美國公司因為更有吸引力的激勵措施，選擇了在外擴張。但美國半導體制造商44%的晶圓廠產能仍位于本土，其中共有分布在18個州的70座晶圓廠。

而中國大陸的代工廠，如中芯國際，在2019年僅占美國公司全球代工總收入的5.8%。

即便如此，美國為了維持自身的在該領域的壟斷地位，不斷地給創新競爭法案加碼，并批準了大量投資。